[发明专利]肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210581204.X | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103050548A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王剑敏 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基二极管及其制造方法。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该N型硅芯片上具有开口的绝缘层，位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层。该肖特基二极管进一步包括该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，以及该N型硅芯片中位于所述金属硅化物层周围的高浓度P型掺杂内环和位于所述高浓度P型内环外侧的高浓度P型掺杂外环；所述阳极金属层由钛铝金属构成。根据本发明制作而得的肖特基二极管，不仅其性能参数得到了改善，并且在不增加工艺步骤的情况下其生产制作的成品率获得显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括阴极金属层；阴极金属层上的N型硅芯片；该N型硅芯片上具有开口的绝缘层；位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层；其特征在于，该肖特基二极管进一步包括，该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，以及该N型硅芯片中位于所述金属硅化物层周围的高浓度P型掺杂内环和位于所述高浓度P型内环外侧的高浓度P型掺杂外环。
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