[实用新型]一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统有效
| 申请号： | 201220092553.0 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN202631646U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 汪连山;吕志勤 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R29/22 | 分类号： | G01R29/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，包括：设置在测量密封室内、激发所述外延片产生光信号，并对所述光信号进行模数处理的测量子系统；通过所述光信号获得外延片光谱从而获得外延片压电场的分析控制子系统。所述测量子系统包括：为外延片提供外置电压的电压源；产生用于照射在外延片表面的光以激发外延片产生光信号的激发光源；接收并放大外延片的光信号的光电倍增管；将光电倍增管输出的光信号转换为数字信号的A/D模数转换器。所述分析控制子系统包括：得到外延片的光谱并获得外延片压电场的多功能控制器和调节电压源电压的电压调节控制器。本实用新型结构简单，操作方便，准确获得的外延片压电场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基多 量子 结构 外延 压电 测量 系统 | ||
【主权项】：
一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，其特征在于，包括：设置在测量密封室内、激发外延片产生光信号，并对所述光信号进行模数处理的测量子系统；与所述测量子系统相连、通过所述光信号获得外延片光谱并通过分析所述外延片光谱获得外延片压电场的分析控制子系统。
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