[实用新型]快开通晶闸管有效
| 申请号： | 201220324574.0 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN203150555U | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 颜家圣;张桥;刘小俐 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/744 |
| 代理公司： | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型的名称为快开通晶闸管。属于晶闸管器件技术领域。它主要是解决现有条状、工字型、辐射状条状放大门极的晶闸管快开通效果不好的问题。它的主要特征是：包括管壳和封装在该管壳内的半导体芯片，半导体芯片为PNPN四层三端结构，芯片上设有短路点、中心门极G、放大门极G、阴极K和阳极A，放大门极G为旋转环绕中心门极G、且一端均匀分布并与中心门极G连接的渐开线指条。改善了快开通晶闸管的门极控制开通时间、di/dt耐量、快开通的均匀性，使其动态特性得到较好的控制，达到同步开通的效果。本实用新型具有提高放大门极延长线、提高初始导通面积、并使延长线所处阴极区周围均匀分布的特点，主要应用于串联逆变电源、脉冲功率器件等装置。 | ||
| 搜索关键词： | 开通 晶闸管 | ||
【主权项】：
快开通晶闸管，包括管壳和封装在该管壳内的半导体芯片，半导体芯片为PNPN四层三端结构，芯片上设有短路点、中心门极G、放大门极G、阴极K和阳极A，其特征在于：所述的放大门极G为旋转环绕中心门极G、且一端均匀分布并与中心门极G连接的渐开线指条。
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