[发明专利]氮化物类半导体发光元件

摘要

本发明的氮化物类半导体发光元件包括：半导体层叠结构，包括主面为半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的活性层（306），具有形成有凹部和凸部中至少一个的凹凸面（310）；和双折射性基板（304），其覆盖半导体层叠结构的凹凸面（310）一侧，将从活性层（306）发射的光中的至少一部分反射的电极（308）和半导体层叠结构的凹凸面（310）配置于相反侧，该双折射性基板（304）使从活性层（306）发射的光和被电极（308）反射的光透过。

主权项

一种氮化物类半导体发光元件，其具有光取出面，该氮化物类半导体发光元件的特征在于，包括：半导体层叠结构，其包括主面是半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的活性层；电极，其将从所述活性层发射的光的至少一部分在所述光取出面的方向反射；双折射性基板，其配置于所述光取出面与所述电极之间，使从所述活性层发射的光和被所述电极反射的光透过；和凹凸面，其位于所述活性层与所述电极之间，在设所述基板的双折射率为Δn、所述基板的厚度为d、发光波长为λ、a为自然数的情况下，满足以下的关系， 90 · ( 2 · a - 1 ) - 45 ≤ Δn · d · 360 λ ≤ 90 · ( 2 · a - 1 ) + 45 设所述凹部或者凸部的各个侧面与所述活性层的主面的法线所成的角度为θ1时，θ1为10度以上58度以下。