[发明专利]表膜、表膜用粘合剂、带表膜的光掩膜及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201280011896.2 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103443706A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 矢野浩平;山下泰辉 | 申请（专利权）人： | 旭化成电子材料株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;B65D85/86 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供具有能够降低由曝光后的光掩膜剥离表膜时的残胶、释气的产生少的粘合剂的表膜。本发明的表膜，其具有表膜框、张架于表膜框的一端面的表膜用膜、和附着于另一端面的粘合剂，粘合剂含有(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物和硅烷化合物，(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物是具有碳原子数4～14的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯与具有官能团的单体的共聚物，其中，该官能团与异氰酸酯基或环氧基中的至少任意一种具有反应性。 | ||
| 搜索关键词： | 表膜 表膜用 粘合剂 带表膜 光掩膜 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种表膜，其具有表膜框、张架于该表膜框的一端面的表膜用膜、和附着于另一端面的粘合剂，所述粘合剂含有(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物和硅烷化合物，所述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物是具有碳原子数4～14的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯与具有官能团的单体的共聚物，其中，该官能团与异氰酸酯基或环氧基中的至少任意一种具有反应性。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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