[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310008704.9 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681743A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 姜镇求 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括：在基板上形成的第一电极；使第一电极至少露出一部分的第一像素限定膜；形成在第一像素限定膜和第一电极之上，并包括第一区域和第二区域的介质层；与第一像素限定膜重叠，并在介质层的第一区域上形成的第二像素限定膜；与第一电极重叠，并在介质层的第一区域上形成的发光层；和覆盖第二像素限定膜和发光层的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机发光显示装置，包括：在基板上形成的第一电极；使所述第一电极至少露出一部分的第一像素限定膜；形成在所述第一像素限定膜和所述第一电极之上，包括第一区域和第二区域的介质层；与所述第一像素限定膜重叠，并形成在所述介质层的所述第一区域上的第二像素限定膜；与所述第一电极重叠，并形成在所述介质层的所述第一区域上的发光层；和覆盖所述第二像素限定膜和所述发光层的第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310008704.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：插头
- 下一篇：多气缸发动机的吸气装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
