[发明专利]高电压MOS晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201310049215.8 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103247686A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李名镇 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电压MOS晶体管结构及其制造方法。该高电压MOS晶体管结构包含：第一离子阱和第二离子阱，该第一离子阱和该第二离子阱形成于基底上，该第一离子阱具有第一导电型以及该第二离子阱具有与该第一导电型不同的第二导电型，且在该第一离子阱和该第二离子阱的交界面形成结；栅极，位于该第一离子阱和该第二离子阱上；漏极，具有该第一导电型，位于该第一离子阱中，并与该栅极的第一侧壁间隔有偏置距离；源极，具有该第一导电型，位于该第二离子阱中。本发明所提出的高电压MOS晶体管结构及其制造方法，可改善时间相关介质击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 mos 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电压MOS晶体管结构，其特征在于，包含：第一离子阱和第二离子阱，该第一离子阱和该第二离子阱形成于基底上，该第一离子阱具有第一导电型以及该第二离子阱具有与该第一导电型不同的第二导电型，且在该第一离子阱和该第二离子阱的交界面形成结；栅极，位于该第一离子阱和该第二离子阱上；漏极，具有该第一导电型，位于该第一离子阱中，并与该栅极的第一侧壁间隔有偏置距离；源极，具有该第一导电型，位于该第二离子阱中。
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