[发明专利]利用恒沸盐酸制备碱性蚀刻液的方法有效
申请号: | 201310126207.9 | 申请日: | 2013-04-12 |
公开(公告)号: | CN103224796A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 阎云朝;林伟波;李金荣;郑鹤立;郑安丽;陈帆敏;张树东 | 申请(专利权)人: | 西陇化工股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00 |
代理公司: | 汕头市高科专利事务所 44103 | 代理人: | 王少明 |
地址: | 515064 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种利用恒沸盐酸制备碱性蚀刻液的方法,将恒沸盐酸用水调至Cl-含量为185—195g/L的酸液,酸液吸收氨气形成氯化铵溶液;氯化铵溶液中加入过氧化氢水溶液和活性炭,搅拌后过滤;滤液中加入滤液硝酸钾和磷酸氢二钾,再吸收氨气,得碱性蚀刻液,使稀废盐酸变废为宝。 | ||
搜索关键词: | 利用 盐酸 制备 碱性 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
一种利用恒沸盐酸制备碱性蚀刻液的方法,其特征在于,依次包括下列步骤:A.将恒沸盐酸用水调至Cl-含量为185—195 g/L的酸液;B.酸液吸收氨气形成pH=6—7的氯化铵溶液;C.氯化铵溶液中加入过氧化氢水溶液和活性炭,搅拌后过滤;D.滤液中加入滤液重量0.03—0.15%的硝酸钾和0.03—0.1%的磷酸氢二钾,再吸收氨气至溶液pH=10±0.2,过滤,得碱性蚀刻液。
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- 李炎勇;王开友 - 中国科学院半导体研究所
- 2012-03-23 - 2012-08-08 - C09K13/00
- 本发明一种GaAs半导体材料刻蚀液的配方,包括:柠檬酸、过氧化氢和去离子水;其是先将柠檬酸和去离子水按预定比例混合,再加入过氧化氢搅拌均匀。其中该刻蚀液是先将1g的柠檬酸晶体兑入1ml的去离子水中,搅拌均匀,再加入浓度为30%的过氧化氢,柠檬酸晶体与去离子水之和与过氧化氢的体积比为66∶1。使用的本发明柠檬酸配方中,对GaAs材料的刻蚀速率控制在2.0nm/s-2.8nm/s。
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