[发明专利]磁场传感器有效
申请号: | 201310137649.3 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103376426A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | W.拉贝格 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件,所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件(GMR=巨磁阻;TMR=隧道磁阻)。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性,其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。 | ||
搜索关键词: | 磁场 传感器 | ||
【主权项】:
一种磁场传感器,其包括:被连接在包括并联分支的全桥电路中的至少四个XMR元件,其中所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件;其中,所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性,并且其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。
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