[发明专利]一种沿面击穿型真空开关的触发电极有效
| 申请号： | 201310172666.0 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103296579A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李黎;鲍超斌;谢龙君;葛亚峰;林福昌 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01T2/02 | 分类号： | H01T2/02;H01H33/664 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沿面击穿型真空开关的触发电极，包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽，陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中，并与钼套圈紧密接触，用于保证低压极与金属触发极之间的电气绝缘，金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中，用于保证钼环与金属触发极等电位，钼环设置于陶瓷管的上部，半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的方向与高压极施加的间隙电场方向一致，触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。本发明能够解决现有触发电极存在的使用寿命短、耐高温性能不佳、容易烧蚀损坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 真空开关 触发 电极 | ||
【主权项】：
一种沿面击穿型真空开关的触发电极，包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽，其特征在于，陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中，并与钼套圈紧密接触；金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中；钼环设置于陶瓷管的上部；半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的轴线方向与高压极施加的间隙电场方向平行；触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。
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