[发明专利]异质结半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310184881.2 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103426914A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;杰伦·安东·克龙;约翰尼斯·J·T·M·唐克斯;简·雄斯基;斯蒂芬·约翰·斯奎;安德烈亚斯·伯纳德斯·玛丽亚·扬斯曼;马库斯·穆勒;斯蒂芬·海尔;提姆·伯切尔 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/207 | 分类号： | H01L29/207;H01L29/778;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括：13族氮化物异质结，包括具有第一带隙的第一层和具有第二带隙的第二层，其中，第一层位于衬底和第二层之间；以及肖特基电极和另外的第一电极，分别电连接到异质结的不同区域，所述肖特基电极包括中心区域和边缘区域，其中，器件包括在肖特基电极下方仅位于所述边缘区域下方的导电势垒部分，用于局部增强肖特基电极的肖特基势垒。还公开了一种制造该半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：13族氮化物异质结，包括具有第一带隙的第一层(112)和具有第二带隙的第二层(114)，其中第一层位于衬底(110)和第二层之间；以及肖特基电极(120)和另外的第一电极(130)，分别电连接到异质结不同的区域，所述肖特基电极包括中心区域和边缘区域，其中，该器件包括在所述肖特基电极下方仅位于边缘区域下方的导电势垒部分(124，134，148)，用于局部增加肖特基电极的肖特基势垒。
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