[发明专利]获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法有效
| 申请号： | 201310229132.7 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103266354A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李飞;张树君;李振荣;徐卓 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人： | 李中群 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一套获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法，包括了针对于四方相、三方相及正交相铁电晶体的极化方法，其步骤是将晶体加热使之温度高于该晶体的居里温度后，在晶体上施加相应方向上的直流电场，之后在带场情况下使晶体缓慢降温至室温，即获得极化的四方相、三方相或正交相弛豫铁电单畴晶体。采用本发明所述方法可保证弛豫铁电单晶的高度单畴化，并且在极化后无晶体开裂现象，为单畴弛豫铁电单晶的应用起到了推进作用。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 单畴弛豫铁电单晶 极化 方法 | ||
【主权项】：
一种获得单畴四方相弛豫铁电单晶的极化方法，其特征在于包括下述的极化工艺步骤：1.1以5℃/min的速度，将四方相晶体加热至TT1，TT1高于该晶体的居里温度20℃～30℃；1.2在TT1温度保温5分钟，同时在晶体上施加沿[001]方向直流电场，其电场强度ET1=1～5kV/cm；1.3在带电场的情况下，对晶体以‑2℃/min的速度缓慢降温至TT2，TT2低于该晶体的居里温度10℃～20℃；1.4以‑5℃/min的速度，将晶体带场降温至室温，取出晶体，获得极化的四方相弛豫铁电单畴晶体。
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- 2009-01-16 - 2009-08-05 - C30B30/02
- 本发明公开了一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备领域。本发明制备方法通过在弱碱性电解液中以金属锌作为阳极，以惰性电极作为阴极进行阳极氧化；阳极氧化后，对阳极获得的锌盐纳米线阵列进行高温退火处理而制备氧化锌纳米线阵列。优选地，还可在阳极氧化前对金属锌阳极进行清洗和/或电化学抛光处理，还可在电解液中加入表面活性剂。本发明制备的氧化锌纳米线阵列所需材料廉价，环境友好，所用设备和步骤简单，制备周期短，易于大规模合成，并且此种方法所制备的纳米线是由氧化锌纳米晶组装而成，具有较高的长径比和比表面积，以及良好的电学性能。
- 一种镍锌合金纳米线阵列材料的制备方法-200910076993.X
- 于美;刘建华;孟世明;李松梅;李英东 - 北京航空航天大学
- 2009-01-16 - 2009-08-05 - C30B30/02
- 本发明公开了一种镍锌合金纳米线阵列材料的制备方法，其具体制备过程为：1.氧化铝模板的制备，2.氧化铝模板的降压修饰，3.镍锌合金纳米线的直流电沉积制备。本发明在氧化铝模板制备完成以后要进行降压修饰，修饰后可直接进行镍锌合金纳米线的直流电沉积制备，简化了制备过程。本发明能够通过控制电沉积电压实现镍锌纳米线结构的控制，提供了一种镍锌合金纳米线结构可控的制备方法。
- 一种合金纳米管及其制备方法-200710304793.6
- 王峰;刘恒君;赵永彬;刘景军 - 北京化工大学
- 2007-12-28 - 2009-07-01 - C30B30/02
- 一种合金纳米管及其制备方法属于纳米材料领域。本发明所提供的合金纳米管是由A和B两种过渡金属元素形成的固溶体、金属化合物或者非晶态，其中A占15.3～86.4％，B占13.6～84.7％。本发明所提供的制备方法是将背面导入一层金或铂薄膜的模板浸泡在含金属离子A和B的电解槽中，一定电压、电流条件下电沉积制得二元合金纳米管。同过采用不同内径纳米孔道的模板及控制电沉积时间和调整阴极电流密度可以得到不同直径、不同长度和不同组分的二元合金纳米管。本发明提供的二元合金纳米管的制备过程非常简单、反应条件温和、可控性强，具有很好的应用前景。
- 锗三维光子晶体的制备方法-200810209609.4
- 李垚;孟祥东;赵九蓬;辛伍红;刘昕 - 哈尔滨工业大学
- 2008-12-04 - 2009-05-20 - C30B30/02
- 锗三维光子晶体的制备方法，它涉及一种锗光子晶体的制备方法。它解决了现有制备锗三维光子晶体的方法中锗无法完全填充模板的问题。本发明方法如下：倾斜沉积法在制备聚苯乙烯小球模板；配制电解液；三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长锗；化学刻蚀法去除聚苯乙烯小球模板，即得锗三维光子晶体。本发明方法制得的锗光子晶体填充率达100％，且具有完全光子带隙。本发明方法工艺简单，操作方便。
- 金属铜基底上直接生长一维纳米氧化亚铜阵列的制备方法-200810048684.7
- 李家麟;余颖;王艳;阎丽丽 - 华中师范大学
- 2008-08-01 - 2009-05-13 - C30B30/02
- 在氯化物介质中，铜阳极溶解是一个已经成熟的生产氧化亚铜(Cu2O)的流程，本发明是在以上制备流程的基础上，通过在阳极槽中加入表面活性剂，并控制阳极槽中电解液氯化物盐的浓度、阴极槽中碱的浓度以及电解的电量和电解温度，可在阳极金属铜基底上直接长出一维纳米Cu2O阵列，其形貌可控，阵列可由纳米带、纳米片、纳米线组成，一维阵列的顶端可为针尖状、圆状等形貌。该直接长在铜基底上的一维纳米Cu2O阵列，具有优异的场发射性能和可见光催化的效果，在真空微电子器件、平板显示以及高级氧化技术领域等方面具有广泛的应用前景。
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