[发明专利]电阻式存储单元、电阻式存储阵列及其形成方法无效
| 申请号： | 201310418402.9 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103682093A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈达;李亨元;陈佑升;陈维恕;吴岱原;陈邦旭 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有可变电阻层的电阻式存储单元、电阻式存储阵列及其制作方法。可变电阻层包括至少一主要电阻层以及至少一辅助电阻层。主要电阻层以及辅助电阻层一起形成封闭的离子交换系统，被交换的离子于主要电阻层及辅助电阻层的每一者中具有等同的移动性，且主要电阻层的最大电阻值高于辅助电阻层的最大电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 单元 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储单元，包括：可变电阻层，包括至少一主要电阻层以及邻近的至少一辅助电阻层，其中所述至少一主要电阻层以及邻近的所述至少一辅助电阻层一起形成封闭的离子交换系统，被交换的离子于所述至少一主要电阻层及所述至少一辅助电阻层的每一者中具有等同的移动性，且所述至少一主要电阻层的最大电阻值高于所述至少一辅助电阻层的最大电阻值。
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