[发明专利]一种氟代苯并杂环-杂芳环结构的合成方法

摘要

本发明涉及一种氟代苯并杂环-杂芳环结构的合成方法，具体地，所述方法由简单的氟取代的苯并杂环及其衍生物和杂芳环类化合物出发，在钯盐的催化下，用银盐充当氧化剂，高收率地得到各种氟取代的苯并杂环-杂芳环类化合物的方法。该方法使用简单氟取代的苯并杂环和杂芳环类化合物为原料，具有催化剂用量少，底物适用范围广，操作简便，反应效率高等优点。所得的氟取代的苯并杂环-杂芳环砌块在有机半导体，光电材料和太阳能电池方面都有着广泛的应用。

主权项

一种式C所示的化合物的制备方法，其特征在于，包括步骤：于惰性溶剂中，以钯盐为催化剂，在氧化剂存在下，将式A化合物与式B化合物进行反应，从而形成式C化合物；上述各式中，R1、R2、R'1、R'2、R'3各自独立地为H、氰基、卤素、C1‑30烷基、卤代的C1‑30烷基、C2‑30烯基、卤代的C2‑30烯基、C2‑30炔基、被卤素或苯基取代的C2‑30炔基、C1‑30烷氧基、卤代的C1‑30烷氧基、‑CONR6R7、‑COOC1‑30烷基、C1‑30烷基‑羰基、甲酰基、噻吩取代的吡咯并吡咯二酮基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的噻吩、取代或未取代的呋喃、取代或未取代的‑C=C‑COOC1‑30烷基；其中，所述的“取代”指基团中一个或多个H被选自下组的取代基所取代：卤素、C1‑30烷基、C1‑20烷氧基、‑CONR6R7、‑COOC1‑20烷基、C1‑20烷基‑羰基或甲酰基；或者，R1和R2、R'1和R'2或R'2和R'3与相邻的环共同构成：(a)苯并杂环基，或(b)被一个或多个R4所取代的苯并杂环基，其中，R4选自：氰基、卤素、C1‑20烷基、卤代的C1‑20烷基、C2‑20烯基、卤代的C2‑20烯基、C2‑20炔基、卤代的C2‑20炔基、C1‑20烷氧基、卤代的C1‑20烷氧基、‑CONR6R7、‑COOC1‑20烷基、C1‑20烷基‑羰基、甲酰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的‑C=C‑COOC1‑20烷基，其中，所述的“取代”指基团中一个或多个H被选自下组的取代基所取代：卤素、C1‑6烷基、C1‑6烷氧基、‑CONR6R7、‑COOC1‑10烷基、C1‑10烷基‑羰基或甲酰基；X为S、O、或NR5，Y为S、O、Se、Te、Ga或NR5；其中，R5为选自：H、氰基、C1‑20烷基，卤代的C1‑20烷基、C2‑20烯基、卤代的C2‑20烯基、C2‑20炔基、卤代的C2‑20炔基、‑COOC1‑20烷基、C1‑20烷基‑羰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的‑C=C‑COOC1‑10烷基、取代或未取代的苄基；其中，所述的“取代”指基团中一个或多个H被选自下组的取代基所取代：卤素、C1‑6烷基、C1‑6烷氧基、‑CONR6R7、‑COOC1‑10烷基、C1‑10烷基‑羰基或甲酰基；R6、R7各自独立地为H、氰基、卤素、C1‑20烷基，卤代的C1‑20烷基、C2‑20烯基、卤代的C2‑20烯基、C2‑20炔基、卤代的C2‑20炔基、‑COOC1‑20烷基、C1‑20烷基‑羰基。