[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。该半导体器件包括贯穿硅衬底的TSV。密封环被设置为从最对于硅衬底最近的第一低相对介电常数薄膜至对于硅衬底最远的第二低相对介电常数薄膜。密封环被形成为在从晶圆正面的硅衬底的鸟瞰图中围绕TSV。这就能实现包括了低相对介电常数薄膜和TSV的半导体器件中的低相对介电常数薄膜中的裂缝的产生或发展的抑制。

主权项

一种包括硅衬底和贯穿所述硅衬底的硅通孔TSV的半导体器件，所述半导体器件包含：密封环，所述密封环被设置为从第一低相对介电常数薄膜向下到达并贯穿第二低相对介电常数薄膜，所述第一低相对介电常数薄膜是对于所述硅衬底最近的低相对介电常数薄膜，并且所述第二低相对介电常数薄膜是对于所述硅衬底最远的低相对介电常数薄膜，布线层，所述布线层通过接触层来被电连接到半导体元件，以及另一布线层，所述另一布线层被电连接到硅通孔TSV电极，其中，在所述硅衬底上从鸟瞰图来看，所述密封环被形成在所述硅通孔TSV的附近以围绕所述硅通孔TSV，并且其中，所述布线层被布置在所述密封环之外，并且被电连接到被布置在所述密封环之内的所述另一布线层。