[实用新型]一种排水沟沉井式流量测量结构有效

专利信息
申请号: 201320550602.5 申请日: 2013-09-05
公开(公告)号: CN203405243U 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 鄢军军;刘剑鸣 申请(专利权)人: 中国水电顾问集团中南勘测设计研究院
主分类号: G01F1/708 分类号: G01F1/708
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 卢宏
地址: 410014 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了一种排水沟沉井式流量测量结构,为测量排水沟流量提供了一种新的手段。它的主要结构特征是在排水沟底部设有一个与之相通的沉井,在沉井底部设有一个排水泵,在沉井内壁从下至上依次固定有下水位检测开关和上水位检测开关,还包括检测控制器和时钟计时器电路。本实用新型的测量结构可以进行现场试验和率定,流量测量结果精度高;不需要配套高精度的测试仪器,成本低。
搜索关键词: 一种 排水沟 沉井 流量 测量 结构
【主权项】:
一种排水沟沉井式流量测量结构,其特征在于,在排水沟(9)任一段底部设有一个与所述排水沟(9)相通的沉井(1),所述沉井(1)底部设置有水泵(5),所述沉井(1)内壁从下至上依次固定有下水位检测开关(7)和上水位检测开关(8),所述下水位检测开关(7)的安装位置高于所述水泵(5);所述下水位检测开关(7)和上水位检测开关(8)均与检测控制器(10)电连接,所述检测控制器(10)与计时装置电连接,所述检测控制器(10)与所述水泵(5)电连接。
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  • 高胜国;高任翔 - 中国农业科学院农田灌溉研究所
  • 2010-03-17 - 2010-11-17 - G01F1/708
  • 本实用新型涉及一种T-max植物茎流测量装置,由安装在植物茎干上位于茎流下游距加热器的距离XD处的检测温度传感器和安装在茎流上游或下游不受热脉冲影响的植物茎干上的补偿温度传感器组成温差检测器,温差检测器的输出端与前置放大器相连接,前置放大器的输出端与增益放大器相连接,增益放大器的输出端与低通滤波器相连接,低通滤波器的输出端与半波整流器相连接,半波整流器的输出端与变指数放大器相连接,变指数放大器的输出端与门限检测器相连接,门限检测器的输出端与微分和过零检测器相连接,微分和过零检测器的输出端与单片机的外部中断1端口相连接;显著提高了T-max方法测量低速茎流的能力,成本低,精度高,可靠性好,加热量少,测量范围宽。
  • 高聚物熔体体积流量测定装置及其测定方法-200810147627.4
  • 李文光;吴炳田;侯世荣;王亚 - 四川大学
  • 2008-11-21 - 2009-04-15 - G01F1/708
  • 本发明公开了高聚物熔体体积流量测定装置及其测定方法。其特点是该装置的狭缝流道或conduit流道(4)的一端与流道动力机构(1)连接,另一端与熔体外流道(5)连接,外流道通过回路流道(8)与流道动力机构连接,狭缝流道或conduit流道中设温度传感器(7)和多个压力传感器(2、3),温度传感器和多个压力传感器分别与温度和数据收集处理系统(6)连接。动力机构推动高聚物熔体以一定的流速进入流道,通过两个压力传感器来测定流体经过的时间。根据流道的几何尺寸和经过的时间就可得到高聚物在流道中的体积流量。本发明是直接测定高聚物熔体在流道中的体积流量,不受压力和流道尺寸变化的影响。本发明提供了一种可改善和提高高聚物流变测量精度的方法。
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