[实用新型]一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件有效
| 申请号： | 201320739599.1 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN203588990U | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高博;丁凯凯;刘刚;王立新;韩郑生;张彦飞;孙博韬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体试验测试技术领域，公开了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。本实用新型通过在VDMOS管的管壳上设置通孔，实现VDMOS管功率芯片的双向单粒子激光脉冲试验，从而更好的模拟功率器件的单粒子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 粒子 激光 脉冲 试验 功率 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；其特征在于，包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。
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