[发明专利]检测方法、微阵列的分析方法及荧光读取装置在审
| 申请号： | 201380052862.2 | 申请日： | 2013-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN104718427A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 薙野邦久;吉川俊平 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | G01B11/00 | 分类号： | G01B11/00;G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够取得能够准确地检测基板的高度差异的图像的检测方法、微阵列的分析方法以及荧光读取装置。所述检测方法是将通过透镜而被聚光后的激光照射于具有凹凸形状的基板，取得来自基板的反射光和/或散射光的接收强度作为图像数据，检测凹凸形状的高度的差异的检测方法，在与透镜的焦点位置相比靠近透镜的位置配置基板的光照射面，接收来自光照射面的反射光和/或散射光作为检测光，基于接收到的光的强度的变化，检测基板的高度的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 方法 阵列 分析 荧光 读取 装置 | ||
【主权项】：
一种检测方法，其特征在于，是将通过透镜而被聚光后的激光照射于具有凹凸形状的基板，取得来自该基板的反射光和/或散射光的光强度作为图像数据，检测所述凹凸形状的高度的差异的检测方法，在与所述透镜的焦点位置相比靠近所述透镜的位置配置所述基板的光照射面，接收来自该光照射面的反射光和/或散射光作为检测光，基于该接收到的光的强度的变化，检测所述基板的高度的差异。
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