[发明专利]半导体结构以及凹槽形成蚀刻技术在审
| 申请号： | 201380066532.9 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104871319A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陆斌;孙敏;托马斯·阿波斯托尔·帕拉西奥斯 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构具有包含第一半导体材料的第一层和包含第二半导体材料的第二层。相对于第二半导体材料，第一半导体材料可利用第一蚀刻工艺被选择性地蚀刻。第一层设置在第二层之上。至少在第一层中设置有凹槽。还描述了形成包括凹槽的半导体结构的方法。该方法包括利用第一蚀刻工艺蚀刻第一层中的区域。第一层包含第一半导体材料。第一蚀刻工艺在第一层之下的第二层处停止。第二层包含第二半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 以及 凹槽 形成 蚀刻 技术 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：沟道层；以及阻挡层，所述阻挡层包括包含第一半导体材料的第一层和包含第二半导体材料的第二层，其中所述第一层设置在所述第二层之上，其中相对于第二半导体材料，所述第一半导体材料可利用干法蚀刻工艺被选择性地蚀刻，并且其中至少在所述第一层中设置有栅极凹槽；以及设置在所述栅极凹槽中的栅极。
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