[发明专利]穿过介电通孔的互连件有效
| 申请号： | 201380071827.5 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105027264B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | K·杜利;R·麦夸德;L·基弗斯;D·菲茨佩崔克;L·拜尔恩 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 郭艳芳;康泉 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种介电层，包括回流通孔。回流通孔由介电层的回流形成。互连件穿过回流通孔接触。 | ||
| 搜索关键词： | 穿过 介电通孔 互连 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，包括：第一金属层；布置在第一金属层上的介电层，其中介电层包括回流通孔，其通过介电层的回流形成；以及穿过回流通孔与第一金属层接触的互连件；其中所述装置还包括布置在第一金属层上的凸起特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
