[发明专利]一种上拉双扩散金属氧化物半导体及其制作方法

摘要

本申请公开了一种上拉双扩散金属氧化物半导体及其制作方法。所述上拉双扩散金属氧化物半导体包括衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、基区、体接触区、源接触区、漏接触区、场氧、栅氧、厚栅氧、多晶硅栅、源极电极、漏极电极、栅极电极，所述多晶硅栅包括终端部分和普通部分，所述终端部分包括有源多晶硅、在栅氧和厚栅氧上的第一延伸多晶硅、以及在厚栅氧和场氧上的第二延伸多晶硅。所述上拉双扩散金属氧化物半导体在小的终端面积情况下具有更高的击穿电压。

主权项

一种上拉双扩散金属氧化物半导体，包括：具有第一掺杂类型的衬底；形成在衬底上的外延层；形成在外延层内具有第二掺杂类型的第一阱区；形成在外延层内具有第一掺杂类型的第二阱区，所述第二阱区毗邻第一阱区；形成在第一阱区内具有第一掺杂类型的基区，所述基区和第一阱区形成体‑阱结；形成在基区内的具有第一掺杂类型的体接触区；形成在基区内的具有第二掺杂类型的源接触区，所述源接触区毗邻体接触区；形成在第一阱区内的具有第二掺杂类型的漏接触区；形成在外延层上的场氧；形成在外延层上的栅氧；厚栅氧，所述厚栅氧部分形成在栅氧上、部分形成在外延层上、部分形成在场氧上；形成在场氧、栅氧和厚栅氧上的多晶硅栅，所述多晶硅栅包括终端部分和普通部分，所述终端部分包括在体‑阱结上的有源多晶硅、在栅氧和厚栅氧上的第一延伸多晶硅、以及在厚栅氧和场氧上的第二延伸多晶硅。