[发明专利]功率半导体电路

摘要

本发明涉及一种功率半导体电路，其具有：至少两个电并联的功率半导体开关，操控布线系统，其中，操控布线系统具有第一、第二、第三和第四电接通点，其中，第一和第三接通点与功率半导体开关的控制接口电连接，第二和第四接通点与功率半导体开关的第二负载电流接口电连接，其中，在接通点与功率半导体开关的控制接口之间分别电联接二极管，以及操控电路，其中，操控电路以如下方式构造，即，为了接通功率半导体开关，操控电路在第一与第二接通点之间生成第一电位差，为了切断功率半导体开关，操控电路在第三与第四接通点之间生成第二电位差。本发明的功率半导体电路在功率半导体电路的电并联的功率半导体开关之间实现尽量均匀的电流分布。

主权项

1.一种功率半导体电路，所述功率半导体电路具有：·至少两个电并联的功率半导体开关(T1、T2)，所述功率半导体开关均具有第一和第二负载电流接口(C、E)以及控制接口(G)，其中，所述功率半导体开关(T1、T2)的第一负载电流接口(C)彼此导电连接，所述功率半导体开关(T1、T2)的第二负载电流接口(E)彼此导电连接，·操控布线系统(7)，其中，所述操控布线系统(7)具有第一、第二、第三和第四电接通点(P1、P2、P3、P4)，其中，所述第一和第三接通点(P1、P3)与所述功率半导体开关(T1、T2)的控制接口(G)电连接，所述第二和第四接通点(P2、P4)与所述功率半导体开关(T1、T2)的第二负载电流接口(E)电连接，其中，在所述第一接通点(P1)与所述功率半导体开关(T1、T2)的控制接口(G)之间分别电联接第一二极管(D1)，所述第一二极管的阳极在电路上面向所述第一接通点(P1)，其中，在所述第二接通点(P2)与所述功率半导体开关(T1、T2)的第二负载电流接口(E)之间分别电联接第二二极管(D2)，所述第二二极管的阴极在电路上面向所述第二接通点(P2)，其中，在所述第三接通点(P3)与所述功率半导体开关(T1、T2)的控制接口(G)之间分别电联接第三二极管(D3)，所述第三二极管的阴极在电路上面向所述第三接通点(P3)，其中，在所述第四接通点(P4)与所述功率半导体开关(T1、T2)的第二负载电流接口(E)之间分别电联接第四二极管(D4)，所述第四二极管的阳极在电路上面向所述第四接通点(P4)，以及·操控电路(4)，其中，所述操控电路(4)以如下方式构造，即，为了接通所述功率半导体开关(T1、T2)，所述操控电路(4)在所述第一与第二接通点(P1、P2)之间生成第一电位差，为了切断所述功率半导体开关(T1、T2)，所述操控电路(4)在所述第三与第四接通点(P3、P4)之间生成第二电位差。