[发明专利]具有流体通道的装置以及用于制造该装置的方法有效

专利信息
申请号: 201410351867.1 申请日: 2014-07-22
公开(公告)号: CN104326435B 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 埃里克·奥里尔;卡琳·马库克斯 申请(专利权)人: 原子能和替代能源委员会
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 归莹;姚开丽
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及具有流体通道的装置以及用于制造该装置的方法,所述装置包括基底,基底包括至少一个微电子和/或纳米电子结构和一个流体通道(2),微电子和/或纳米电子结构包括至少一个敏感部分,流体通道(2)被限定在基底与帽盖(6)之间,其中,流体通道(2)包括至少两个开口以便实现所述通道中的流动,其中,微电子和/或纳米电子结构位于流体通道内部,其中,帽盖与基底在装配界面处装配,其中,所述装置包括所述微电子和/或纳米电子结构与所述流体通道(2)外部之间的至少一个电连接,其中,所述电连接(8)由穿过基底(4)并且位于所述微电子和/或纳米电子结构正下方而且与所述微电子和/或纳米电子结构接触的通孔形成。
搜索关键词: 流体通道 纳米电子 微电子 基底 电连接 帽盖 装配 结构接触 界面处 通孔 制造 开口 穿过 敏感 外部 流动
【主权项】:
一种包括基底的装置,所述基底包括至少一个微电子和/或纳米电子结构和一个流体通道(2),所述微电子和/或纳米电子结构包括至少一个敏感部分,所述流体通道(2)被限定在所述基底与帽盖(6)之间,所述流体通道(2)包括至少两个开口以便实现所述流体通道中的流动,所述微电子和/或纳米电子结构位于所述流体通道内部,所述帽盖与所述基底在装配界面处装配,所述装置包括所述微电子和/或纳米电子结构与所述流体通道(2)外部之间的至少一个电连接,所述电连接(8)由通孔形成,所述通孔至少部分地穿过基底(4)并且位于所述微电子和/或纳米电子结构正下方而且与所述微电子和/或纳米电子结构接触,其中,所述装置还包括至少部分地位于所述流体通道中的中间层(120、220),所述中间层(120、220)在所述流体通道(2)中至少局部地覆盖除了敏感部分之外的所述微电子/纳米电子结构,其中所述中间层(20、120)将除所述敏感部分之外的所述微电子/纳米电子结构的材料隔离在所述流体通道的外部,以便所述材料不与存在于所述流体通道中的媒质相互作用,并且其中所述中间层形成准平整界面,使得所述中间层形成所述流体通道的第四表面。
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