[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410372950.7 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347717B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 权炳昊;金哲;金镐永;朴世廷;金明哲;姜甫京;尹普彦;崔在光;崔时荣;郑锡勋;成金重;郑熙暾;崔容准;韩智恩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体基板，具有第一半导体鳍和第二半导体鳍，所述第一和第二半导体鳍相对于自上而下的视图在第一方向上延伸，沿着相同的线延伸且在所述第一和第二半导体鳍的面对的端部之间限定第一凹陷；以及形成在所述第一凹陷中的绝缘体图案，其中所述第一凹陷包括具有第一宽度的第一沟槽和具有大于所述第一宽度的第二宽度的第二沟槽，所述第一沟槽的一端与所述第二沟槽的一端连接并且连接部分被圆化。
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