[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410418499.8 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN105449018A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 陈伟;刘尧平;杨丽霞;王燕;梁会力;梅增霞;杜小龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池,包括:N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al2O3薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al2O3薄膜(4)以及位于第二Al2O3薄膜(4)之上的空穴输运层(5)。本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法。本发明在黑硅的正面和背面沉积Al2O3薄膜,有效地钝化了黑硅表面,降低了表面复合,增加了电池的开路电压。采用过渡金属氧化物作为空穴输运层,方法简单,降低了生产成本,适合大面积制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al2O3薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al2O3薄膜(4)以及位于第二Al2O3薄膜(4)之上的空穴输运层(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的