[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410418499.8 申请日: 2014-08-22
公开(公告)号: CN105449018A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 陈伟;刘尧平;杨丽霞;王燕;梁会力;梅增霞;杜小龙 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L31/0256 分类号: H01L31/0256;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇;王博
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种太阳能电池,包括:N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al2O3薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al2O3薄膜(4)以及位于第二Al2O3薄膜(4)之上的空穴输运层(5)。本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法。本发明在黑硅的正面和背面沉积Al2O3薄膜,有效地钝化了黑硅表面,降低了表面复合,增加了电池的开路电压。采用过渡金属氧化物作为空穴输运层,方法简单,降低了生产成本,适合大面积制备。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al2O3薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al2O3薄膜(4)以及位于第二Al2O3薄膜(4)之上的空穴输运层(5)。
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