[发明专利]一种发光元件的制备方法有效
申请号: | 201410780653.6 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN104393125A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 李政鸿;周圣伟;林继宏;林兓兓;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提出了一种发光元件的制备方法,生长氮化镓于已镀制AlN的平片或图形衬底上,再进行H2氛围退火处理或H2氛围与NH3氛围组合式热处理藉此改变及缓冲材料间应力的问题,进而改善此应力所造成的外延片翘曲,提高发光元件的外延质量,提升发光元件的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光 元件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种发光元件的制备方法,包括,1)提供衬底;2)利用PVD法在所述衬底表面沉积AlN层;3)通入金属源和NH3,利用MOCVD法在所述AlN层表面沉积AlxGa1‑xN(0≤x<1)层;4)对所述AlxGa1‑xN层进行退火处理,形成不规则状形貌AlxGa1‑xN层或岛状形貌AlxGa1‑xN层,具体为:关闭金属源和NH3,保持H2持续通入,升高腔室温度,在H2氛围中对所述AlxGa1‑xN层进行退火处理;后持续升高温度并在H2通入的条件下再通入NH3,在NH3/H2混合氛围中继续对所述AlxGa1‑xN层进行退火处理;5)在所述退火后的AlxGa1‑xN层表面沉积GaN层;6)在所述GaN层表面沉积n型层、发光层和P型层。
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