[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 201410822915.0 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789433A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器及其制作方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的Al2O3-x阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。其制作方法包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)采用磁控溅射法在衬底上形成底电极；(3)采用磁控溅射法在底电极上沉积Al2O3-x阻变存储层；(4)采用磁控溅射法在Al2O3-x阻变存储层上形成顶电极。本发明采用磁控溅射法沉积底电极、顶电极以及阻变存储功能层材料，解决了现有阻变存储器制作成本高的问题，同时该阻变存储器的制作工艺简单，与传统的CMOS工艺兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的Al2O3‑x阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院，未经北京有色金属研究总院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410822915.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
