[发明专利]光照射设备在审
申请号: | 201410831829.6 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104752278A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 沈亨基;白圣焕;金圣进;车恩熙 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司;三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种用于将光照射到衬底上以处理所述衬底的光照射设备。所述光照射设备包含透射窗,光透射穿过所述透射窗;收集器,设置在透射窗上方并且向上倾斜到透射窗的外部,收集器使在从所述衬底反射之后透射穿过透射窗的反射光偏移;以及冷却块,在冷却块中制冷剂在其中循环,冷却块设置在收集器中以冷却所述收集器。因此,根据实施例,因为收集器设置在透射窗上方并向上倾斜到透射窗的外部,并且在收集器的底表面上形成了突出部,所以可抑制或最小化反射光的漫反射。并且,收集器可将反射光朝所述透射窗的外部引导以防止从衬底S反射的反射光再入射到透射窗中。因此,可抑制由所述透射窗的温度失衡和温度升高造成的不均和光移位的产生。 | ||
搜索关键词: | 照射 设备 | ||
【主权项】:
一种用于将光照射到衬底上以处理所述衬底的光照射设备,其特征在于所述光照射设备包括:透射窗,所述光透射穿过所述透射窗;收集器,设置在所述透射窗上方并且向上倾斜到所述透射窗的外部,所述收集器使在从所述衬底反射之后透射穿过所述透射窗的反射光偏移;以及冷却块,在所述冷却块中制冷剂在其中循环,所述冷却块设置在所述收集器中以冷却所述收集器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造