[发明专利]功率模块有效
申请号: | 201480009406.4 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN104995731B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 大桥东洋;长友义幸 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;B23K35/26;C22C13/00 |
代理公司: | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 康泉;王珍仙<国际申请>=PCT/JP2 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种功率模块,其具备:在绝缘层的一面配设电路层(12)的功率模块用基板;及接合在所述电路层(12)上的半导体元件(3),其中,在所述电路层(12)中的与所述半导体元件(3)之间的接合面,设有由铜或铜合金构成的铜层,在所述电路层(12)和所述半导体元件(3)之间,设有用焊接材料形成的焊接层(20),在所述焊接层(20)中的与所述电路层(12)之间的界面形成有合金层(21),该合金层(21)含有Sn作为主要成分,且含有0.5质量%以上且10质量%以下的Ni、及30质量%以上且40质量%以下的Cu,所述界面中的所述合金层(21)的覆盖率为85%以上。 | ||
搜索关键词: | 功率 模块 | ||
【主权项】:
1.一种功率模块,其具备:在绝缘层的一面配设有电路层的功率模块用基板;及接合在所述电路层上的半导体元件,所述功率模块的特征在于,/n在所述电路层中的与所述半导体元件之间的接合面,设有由铜或铜合金构成的铜层,/n在所述电路层和所述半导体元件之间,设有用Sn-Cu-Ni系的焊接材料形成的焊接层,/n在所述焊接层中的与所述电路层之间的界面形成有合金层,该合金层含有Sn作为主要成分,且含有0.5质量%以上且10质量%以下的Ni及30质量%以上且40质量%以下的Cu,/n所述界面中的所述合金层的覆盖率为85%以上且96%以下,/n整个所述电路层为所述铜层,/n所述合金层具有由(Cu,Ni)6Sn5构成的金属间化合物,/n在所述合金层和所述电路层之间形成有由Cu3Sn构成的金属间化合物层,/n在所述焊接层和所述电路层的界面不存在Ni电镀膜。/n
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