[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201480009974.4 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN105009279B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 晴山耕佑;茅野大祐;西谷祐司 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48;H01L23/66
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 代理人: 曹正建,陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体器件包括所述半导体器件的表面上多个焊料球以及与所述多个焊料球中的第一焊料球相关并使所述第一焊料球与所述多个焊料球中的至少第二焊料球分离的保持体。所述保持体包括导电部以及覆盖所述导电部的绝缘部。此外,制造半导体器件的方法包括以下行为在配线基板的表面上形成多个保持体,每个所述保持体包括导电部以及覆盖所述导电部的绝缘部,每个所述保持体形成开口部;以及在由所述保持体中的每者形成的所述开口部中形成焊料球。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,其包括:配线基板;所述半导体器件的表面上的多个焊料球,其中,所述半导体器件的所述表面是所述配线基板的第一表面;半导体芯片,所述半导体芯片与所述配线基板电连接,其中,所述半导体芯片安装在所述半导体器件的与所述第一表面相对的第二表面上;以及与所述多个焊料球中的第一焊料球相关的保持体,其用于使所述第一焊料球与所述多个焊料球中的至少第二焊料球分离,其中,所述保持体包括:导电部;以及绝缘部,其被构造成覆盖所述导电部。
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