[发明专利]具有异质结和改进的沟道控制的FinFET

摘要

粗略地描述，一种计算机程序产品描述了具有鳍、鳍支撑部、栅极和栅极电介质的晶体管。鳍包括第一晶体半导体材料，该第一晶体半导体材料包括在第一晶体管的源极区域和该晶体管的漏极区域之间的该晶体管的沟道区域。鳍在鳍支撑部上。鳍支撑部包括与第一晶体半导体材料不同的第二晶体半导体材料。鳍的第一晶体半导体材料和鳍支撑部的第二晶体半导体材料在其间形成第一异质结。栅极、栅极电介质和/或隔离电介质可以被定位以改进沟道内的控制。

主权项

1.一种非瞬态计算机可读存储介质，具有存储在其上的电路的物理实现的机器可读规格，所述电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括：第一鳍，包括第一晶体半导体材料，所述第一晶体半导体材料包括在所述第一晶体管的源极区域和所述第一晶体管的漏极区域之间的所述第一晶体管的第一沟道区域，所述第一鳍在第一鳍支撑部上；所述第一鳍支撑部，包括与所述第一晶体半导体材料不同的第二晶体半导体材料，所述第一鳍的所述第一晶体半导体材料和所述第一鳍支撑部的所述第二晶体半导体材料在其间形成第一异质结；第一栅极；以及第一栅极电介质，具有内表面和连接到所述第一栅极的外表面，所述内表面包括：(i)连接到与所述第一异质结相邻的所述第一鳍的第一部分和(ii)连接到与所述第一异质结相邻的所述第一鳍支撑部的第二部分，所述电路包括第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二鳍，包括与所述第一晶体半导体材料不同的第三晶体半导体材料，所述第三晶体半导体材料包括在所述第二晶体管的源极区域和所述第二晶体管的漏极区域之间的所述第二晶体管的第二沟道区域，所述第二鳍在第二鳍支撑部上；所述第二鳍支撑部，包括所述第二晶体半导体材料，所述第二鳍的所述第三晶体半导体材料和所述第二鳍支撑部的所述第二晶体半导体材料在其间形成第二异质结；以及第二栅极电介质，包括：(i)连接到与所述第二异质结相邻的所述第二鳍的第一部分和(ii)连接到与所述第二异质结相邻的所述第二鳍支撑部的第二部分；以及所述第二晶体管的第二栅极，连接到所述第二栅极电介质的所述第一部分并且连接到所述第二栅极电介质的所述第二部分，其中所述第一晶体管是n型晶体管并且所述第二晶体管是p型晶体管，其中所述第一晶体半导体材料具有第一带隙，以及所述第二晶体半导体材料具有比所述第一带隙更宽的第二带隙，其中所述第三晶体半导体材料具有第三带隙，并且所述第二晶体半导体材料的所述第二带隙比所述第三带隙更宽，并且其中所述第一晶体管的所述第一沟道具有张应力，并且所述第二晶体管的所述第二沟道具有压应力。