[发明专利]压电体薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201480026406.5 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105229810B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 勅使河原明彦;加纳一彦;秋山守人;西久保桂子 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L41/316 | 分类号： | H01L41/316;C23C14/06;H01L41/187 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电体薄膜，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的压电体薄膜，其中，碳原子含有率为0.1原子％以上且2.5原子％以下。
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- 2014-05-22 - 2018-08-17 - H01L41/316
- 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。
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