[发明专利]栅极绝缘膜形成用组合物、有机薄膜晶体管、电子纸及显示装置有效
申请号: | 201480032277.0 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN105264648B | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | 松下泰明;松村季彦 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;C07C47/55;C07C69/675;C07C233/25;C07F9/08;C08L33/14;H01L29/786 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 庞东成,张志楠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种不会使有机薄膜晶体管的迁移率大幅下降而提高有机薄膜晶体管的绝缘可靠性的栅极绝缘膜形成用组合物、有机薄膜晶体管、电子纸及显示装置。本发明的栅极绝缘膜形成用组合物含有绝缘性材料;及迁移抑制剂,其选自通式(1)~(8)中的任意一个所表示的化合物、包含通式(A)所表示的重复单元的高分子化合物(X)、以及包含通式(B)所表示的重复单元及通式(C)所表示的重复单元的高分子化合物(Y)。 | ||
搜索关键词: | 栅极 绝缘 形成 组合 有机 薄膜晶体管 电子 显示装置 | ||
【主权项】:
一种栅极绝缘膜形成用组合物,其含有:绝缘性材料;及迁移抑制剂,其选自由通式(31)~(34)以及(36)~(46)中的任意一个所表示的化合物、以及包含通式(B)所表示的重复单元及通式(C)所表示的重复单元的高分子化合物(Y)组成的组,[化学式15]通式(31)中,V31表示取代基;a表示1~4的整数;另外,V31中的至少1个含有氟原子;通式(32)中,V32表示取代基;a表示1~4的整数;另外,V32中的至少1个含有氟原子;通式(33)中,V33表示取代基;R331及R332分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;b表示0~4的整数;另外,V33、R331及R332中的至少1个含有氟原子;通式(34)中,V34表示取代基;R341及R342分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;b表示0~4的整数;另外,V34、R341及R342中的至少1个含有氟原子;通式(36)中,V36表示取代基;R361及R362分别独立地表示氢原子或取代基;b表示0~4的整数;另外,V36、R361及R362中的至少1个含有氟原子;通式(37)中,V37表示取代基;R371、R372、R373及R374分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;b表示0~4的整数;另外,V37、R371、R372、R373及R374中的至少1个含有氟原子;通式(38)中,V38表示取代基;R381、R382、R383及R384分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;b表示0~4的整数;另外,V38、R381、R382、R383及R384中的至少1个含有氟原子;通式(39)中,V39表示取代基;c表示1~2的整数;另外,V39中的至少1个含有氟原子;通式(40)中,V40表示取代基;R401及R402分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;b表示0~4的整数;另外,V40、R401及R402中的至少1个含有氟原子;通式(41)中,V41表示取代基;R411及R412分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;b表示0~4的整数;另外,V41、R411及R412中的至少1个含有氟原子;通式(42)中,V42表示取代基;R421、R422及R423分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;d表示0或1;另外,V42、R421、R422及R423中的至少1个含有氟原子;通式(43)中,V43表示取代基;R431表示氢原子或取代基;b表示0~4的整数;另外,V43及R431中的至少1个含有氟原子;通式(44)中,V44表示取代基;R441表示氢原子或取代基;b表示0~4的整数;另外,V44及R441中的至少1个含有氟原子;通式(45)中,R451、R452、R453及R454分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;另外,R451、R452、R453及R454中的至少1个含有氟原子;通式(46)中,R461及R462分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;另外,R461及R462中的至少1个含有氟原子,[化学式6]通式(B)中,RB表示氢原子或碳原子数1~4的可具有取代基的烷基;LB表示单键或2价有机基团,该2价有机基团选自直链状、分支状或环状的2价脂肪族烃基、‑O‑、‑S‑、‑SO2‑、‑NR222‑、‑CO‑、‑NH‑、‑COO‑、‑CONR222‑、‑O‑CO‑O‑、‑SO3‑、‑NHCOO‑、‑SO2NR222‑、‑NH‑CO‑NH‑、或将这些组合多个而得到的基团;其中,R222表示氢原子或碳原子数1~5的烷基;B表示下述通式(25)所表示的基团,或表示从下述通式(Y‑1)~(Y‑8)所表示的化合物中除去1个除羟基的氢原子以外的氢原子而得到的1价基团;通式(C)中,RC表示氢原子或碳原子数1~4的可具有取代基的烷基;LC表示单键或2价有机基团,该2价有机基团选自直链状、分支状或环状的2价脂肪族烃基、‑O‑、‑S‑、‑SO2‑、‑NR222‑、‑CO‑、‑NH‑、‑COO‑、‑CONR222‑、‑O‑CO‑O‑、‑SO3‑、‑NHCOO‑、‑SO2NR222‑、‑NH‑CO‑NH‑、或将这些组合多个而得到的基团;其中,R222表示氢原子或碳原子数1~5的烷基;X表示氢原子、氟原子或三氟甲基;Rf表示可具有醚性氧原子的、氢原子的至少1个被氟原子替代的碳原子数20以下的氟烷基或表示氟原子;P‑(CR1=Y)n‑Q 通式(Y‑1)通式(Y‑1)中,P及Q分别独立地表示OH、NR2R3或CHR4R5;R2及R3分别独立地表示氢原子或能够取代在氮原子上的基团;R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基;Y表示CR6或氮原子;R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基;R1、R2、R3、R4、R5或R6所表示的基团中的至少两个基团可相互键合而形成环;n表示0~5的整数;其中,当n为0时,P及Q这两者不会同时是CHR4R5,P及Q这两者也不会同时是OH;当n表示2以上的数时,(CR1=Y)所表示的多个原子团可相同也可以不同;R7‑C(=O)‑H 通式(Y‑2)通式(Y‑2)中,R7表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基团组合而得到的基团;并且,R7所表示的基团中可含有羟基或‑COO‑所表示的基团;[化学式7]通式(Y‑3)中,R8、R9及R10分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基团组合而得到的基团;[化学式8]通式(Y‑4)中,R11及R12分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基团组合而得到的基团;R11及R12可相互键合而形成环;Z‑SH 通式(Y‑5)通式(Y‑5)中,Z表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基团组合而得到的基团;并且,Z所表示的基团中可含有取代基;[化学式9]通式(Y‑6)中,X61、X62及X63分别独立地表示‑NH‑、‑N=、=N‑、‑CRx=、=CRx‑或‑S‑;Rx表示氢原子、‑NH2或者直链状或分支状的碳原子数1~15的烷基;其中,烷基中的1个碳原子或2个以上的未相邻的碳原子可被‑O‑、‑S‑、‑NR0、‑CO‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑、‑O‑CO‑O‑、‑CR0=CR00‑或‑C≡C‑替代;并且,烷基中的1个以上的氢原子可被氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或‑CN替代;R0及R00分别独立地表示氢原子、或表示可具有取代基也可以具有1个以上的杂原子的二价碳基或烃基;X61、X62及X63中的至少1个不是‑CRx=或=CRx‑;R61及R62分别独立地表示氟原子、氯原子、‑Sp‑P、直链状或分支状的碳原子数1~15的烷基、或表示可具有取代基的、碳原子数2~30的芳基、杂芳基、芳氧基、杂芳氧基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基羰基氧基、杂芳基羰基氧基、芳氧基羰基或杂芳氧基羰基;其中,烷基中的1个碳原子或2个以上的未相邻的碳原子可被‑O‑、‑S‑、‑NR0、‑CO‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑、‑O‑CO‑O‑、‑CR0=CR00‑或‑C≡C‑替代;并且,烷基中的1个以上的氢原子可被氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或‑CN替代;R0及R00分别独立地表示氢原子、或表示可具有取代基也可以具有1个以上的杂原子的二价碳基或烃基;Sp表示单键或2价有机基团;P表示聚合性基团或交联性基团;R61及R62可相互键合而形成环原子数5~7的芳香环或芳香族杂环;芳香环及芳香族杂环可具有1~6个取代基;[化学式10]通式(Y‑7)中,R71及R72分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基团组合而得到的基团;Z1‑S‑S‑Z2通式(Y‑8)通式(Y‑8)中,Z1及Z2分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基团组合而得到的基团;并且,Z1及Z2中的至少1个可含有取代基;[化学式11]通式(25)中,R251及R254分别独立地表示氢原子或取代基,R252或R253中的任意一者或两者为烷基或烷氧基;*表示键合位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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