[发明专利]采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法有效
| 申请号： | 201510000564.X | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN105826331B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;王永刚;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法,其中提供器件晶圆，第一承载晶圆和第二承载晶圆;于器件晶圆的第一面形成若干深沟槽隔离结构；通过后续工艺中的热过程修复所述深沟槽隔离结构的缺陷；器件晶圆的第一面与第一承载晶圆进行第一次晶圆键合，减薄器件晶圆,形成器件晶圆的第二面，并于该表面制作器件及金属互联；与第二承载晶圆进行第二次晶圆键合形成具有背面深沟槽隔离结构的背照式图像传感器。用本发明的背照式深沟槽隔离中，先形成深沟槽隔离结构，并可选择的在后续的工艺中采用高温热过程对深沟槽隔离形成过程中产生的缺陷进行修复，降低暗电流及白点，并可达到无深沟槽隔离的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 背面 深沟 隔离 背照式 图像传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法,其特征在于,至少包括步骤:提供器件晶圆，第一承载晶圆和第二承载晶圆;于器件晶圆的第一面形成若干深沟槽隔离结构；通过后续工艺中的热过程修复所述深沟槽隔离结构的缺陷；器件晶圆的第一面与第一承载晶圆进行第一次晶圆键合，减薄器件晶圆,形成器件晶圆的第二面，并于该表面制作器件及金属互联；与第二承载晶圆进行第二次晶圆键合形成具有背面深沟槽隔离结构的背照式图像传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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