[发明专利]一种制备具有双轴织构的氧化物薄膜的设备和方法有效
| 申请号： | 201510029133.6 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN104593742B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 肖绍铸;冯峰;瞿体明;朱宇平;卢弘愿;韩征和 | 申请（专利权）人： | 清华大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 王震宇 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种制备具有双轴织构的氧化物薄膜的设备和方法，该设备包括磁控溅射真空室以及安装在磁控溅射真空室内的磁控溅射靶材和样品架，磁控溅射靶材与基底材料之间的距离在1厘米～100厘米范围内，且从磁控溅射靶材上射出的粒子束流在基底材料上的入射方向与基底材料的法线之间的夹角在30°～60°范围内，磁控溅射真空室的工作气压在0.01Pa～10Pa范围内，在磁控溅射过程中溅射功率和电压受控制以产生能量在范围内100eV～1000eV的粒子束流，该粒子束流轰击正在生长的薄膜使之产生双轴织构。采用本发明，不需要使用昂贵的离子源就能制备出具有双轴织构的氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 双轴织构 氧化物 薄膜 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备具有双轴织构的氧化物薄膜的设备，其特征在于，包括磁控溅射真空室以及安装在所述磁控溅射真空室内的磁控溅射靶材和样品架，所述磁控溅射靶材为在磁控溅射过程中能够产生主要由氧负离子和氧原子构成的粒子束流的金属或金属氧化物靶材，所述磁控溅射靶材和所述样品架的相对位置经配置，使得所述磁控溅射靶材与所述样品架上安装的基底材料之间的距离在1厘米～100厘米范围内，且从所述磁控溅射靶材上射出的所述粒子束流在所述基底材料上的入射方向与所述基底材料的法线之间的夹角在30°～60°范围内，所述磁控溅射真空室的工作气压在0.01Pa～10Pa范围内，在磁控溅射过程中溅射功率和溅射电压受控制以产生能量在范围内100eV～1000eV的所述粒子束流。
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