[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其使导通工作时电流所流通的路径分散，从而能够抑制局部发热。在半导体基板的半导体层内设置有n型的源极区、p型的体区、n型的漏极区以及n型的漂移区。漂移区具有第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区以及低浓度漂移区。第一漂移区形成在体区与漏极区之间的半导体层的面临上表面的范围内。第二漂移区与第一漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第一漂移区相接。第三漂移区与第二漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第二漂移区相接。第一漂移区与第二漂移区相比向体区侧突出。

主权项

一种半导体装置，具有：源极电极；栅电极；漏极电极；第一导电型的第一区域，其形成在半导体基板中的面临上表面的范围内，并与所述源极电极连接；第二导电型的第二区域，其形成在面临所述上表面的范围内，并与所述第一区域相接，且隔着栅极绝缘膜而与所述栅电极对置；第一导电型的第三区域，其形成在面临所述上表面的范围内，并与所述漏极电极连接；第一导电型的第四区域，其形成在面临所述上表面的范围内，并形成在所述第二区域与所述第三区域之间，且具有：第一漂移区，该第一漂移区形成在所述第二区域与所述第三区域之间的面临所述上表面的范围内；第二漂移区，该第二漂移区与所述第一漂移区相比第一导电型杂质浓度较高，并与所述第二区域与所述第三区域之间的所述第一漂移区相接,且所述第二漂移区形成在所述第一漂移区的距所述半导体基板的所述上表面较远的一侧；低浓度漂移区，该低浓度漂移区与所述第一漂移区相比第一导电型杂质浓度较低，且形成在所述第二区域与所述第二漂移区之间，所述第一漂移区和所述第二漂移区分别与所述第三区域相接，所述第一漂移区与所述第二漂移区相比向所述第二区域侧突出。