[发明专利]一种高压窄脉冲产生电路

摘要

本发明公开了一种高压窄脉冲产生电路，至少包括用于产生第一负窄脉冲信号、第二负窄脉冲信号和正窄脉冲信号的窄脉冲信号产生模块，用于接收所述正窄脉冲信号和所述第二负窄脉冲信号并生成倍压窄脉冲信号的倍增窄脉冲信号产生模块；与窄脉冲信号产生模块和倍压窄脉冲信号产生模块连接的高压窄脉冲信号转换模块，该转换模块适于接收所述第一负窄脉冲信号和所述倍增窄脉冲信号，并输出高压窄脉冲信号，本发明提供的高压窄脉冲产生电路可以在芯片内部产生2倍于电源电压的高压窄脉冲，可在深亚微米极低电源电压条件下瞬间充分地打开NMOS晶体管，从而对开关电容电路中采样电容有效复位。解决了传统窄脉冲产生电路不能有效开启NMOS晶体管的问题。

主权项

一种高压窄脉冲产生电路，其特征在于，所述高压窄脉冲产生电路至少包括窄脉冲信号产生模块、倍压窄脉冲信号产生模块和高压窄脉冲信号转换模块；所述窄脉冲信号产生模块用于产生第一负窄脉冲信号、第二负窄脉冲信号和正窄脉冲信号，所述正窄脉冲信号的高电平等于VCC，低电平等于Vgnd，所述第一负窄脉冲信号和第二负窄脉冲信号的高电平等于VCC，低电平等于Vgnd，其中，VCC为电源电压，Vgnd为接地电压；所述倍压窄脉冲信号产生模块用于接收所述正窄脉冲信号和所述第二负窄脉冲信号，并生成倍增窄脉冲信号；所述倍增窄脉冲信号的高电平等于2VCC，低电平等于VCC；所述高压窄脉冲信号转换模块与所述窄脉冲信号产生模块和倍压窄脉冲信号产生模块连接；适于接收所述第一负窄脉冲信号和所述倍增窄脉冲信号，并输出高压窄脉冲信号，所述高压窄脉充信号的高电平等于2VCC，低电平等于Vgnd；高压窄脉冲信号在脉冲期间打开NMOS晶体管，并且在脉冲过后，关断NMOS晶体管,在开关电容中用于对采样电容进行瞬间复位；所述高压窄脉冲信号转换模块包括第四晶体管和第五晶体管；所述第五晶体管的栅极连接电源电压VCC，第五晶体管的源极连接第二电容器上极板，第五晶体管的漏极连接第四晶体管的漏极并输出高压窄脉冲信号CKOUT；第四晶体管源极接地，第四晶体管的栅极连接与非门的输出端。