[发明专利]导电过孔结构、阵列基板和显示装置的制作方法有效
申请号: | 201510415374.4 | 申请日: | 2015-07-13 |
公开(公告)号: | CN104992925B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 林致远;黄寅虎;邹志翔;操彬彬 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法,所述阵列基板的制作方法包括:形成包括第一金属结构的第一金属层;在所述第一金属层上形成非金属层薄膜,使所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分;在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜,对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成对应所述第一部分的第一有机绝缘层过孔;对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层;以及在形成所述有机绝缘层之后,去除所述非金属层薄膜的所述第一部分,以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。该方法可以在低成本的前提下尽量避免金属结构在形成有机绝缘层之后被严重氧化。 | ||
搜索关键词: | 导电 结构 阵列 显示装置 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,包括:形成第一金属层,其中,所述第一金属层包括第一金属结构;在所述第一金属层上形成非金属层薄膜,其中,所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分;在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜,对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成第一有机绝缘层过孔,其中,所述第一有机绝缘层过孔对应所述第一部分;对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层;以及在形成所述有机绝缘层之后,去除所述非金属层薄膜的所述第一部分,以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面,其中,在对所述有机绝缘层薄膜进行所述烘烤处理之后去除所述非金属层薄膜的所述第一部分,所述第一金属结构的形成材料包括铜金属或铜合金。
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- 张合静 - 北海惠科光电技术有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
- 2019-06-10 - 2019-08-30 - H01L21/77
- 本申请涉及一种TFT阵列基板制备方法,包括:在基底上形成栅极和覆盖栅极的绝缘层;在绝缘层上形成源极和漏极,源极与栅极的正投影不重叠,漏极与栅极的正投影不重叠;形成金属氧化物半导体,金属氧化物半导体覆盖源极和漏极之间的绝缘层并向两侧延伸至相邻的源极和漏极上;在金属氧化物半导体上形成光阻,光阻与栅极的正投影重叠,且栅极在金属氧化物半导体上的正投影的边界与光阻的正投影的边界重合;使金属氧化物半导体与酸性刻蚀剂反应,增强未被光阻覆盖的金属氧化物半导体的导电能力;去除光阻形成钝化层。通过上述制备方法形成的TFT阵列基板,源栅之间和漏栅之间不会产生寄生电容,且源漏之间的阻抗较小,保证了TFT的开态电流。
- 阵列基板、阵列基板制造方法及液晶显示屏-201611215026.3
- 韦显旺;刘洋 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2016-12-23 - 2019-08-20 - H01L21/77
- 本发明提供一种阵列基板及其制造方法,所述阵列基板包括基板,依次形成所述基板表面的栅极、栅极绝缘层、沟道层、绝缘层及钝化层,所述栅极绝缘层上还设有构成沟道层的氧化物半导体层及与氧化物半导体层间隔设置的多个第一IPS电极;所述绝缘层覆盖所述氧化物半导体层及多个第一IPS电极,所述钝化层覆盖所述沟道层并形成有沟槽,所述沟槽位于每个第一IPS电极一侧间并延伸至所述栅极绝缘层上;所述钝化层上形成与第一IPS电极对应的第二IPS电极,所述第二IPS电极与所述第一IPS电极连接。本发明还提供一种液晶显示屏。
- 制作LTPS TFT基板的方法-201910274244.1
- 林钦遵 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2019-04-08 - 2019-08-09 - H01L21/77
- 本发明提出一种制作LTPS TFT基板的方法,包括:提供一基板,在所述基板上形成一缓冲层,在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层;形成覆盖所述图案化多晶硅有源层的一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成具有阶梯状结构的金属层;以具有阶梯状结构的金属层为遮蔽层,对所述图案化多晶硅有源层进行离子植入,得到沟道区域、轻掺杂区域、重掺杂区域。
- 发光面板的制备方法、发光面板及显示装置-201910333662.3
- 谭志威 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2019-04-24 - 2019-08-09 - H01L21/77
- 本申请公开了一种发光面板的制备方法、发光面板及显示装置,该方法包括:提供一基板,在所述基板上形成第一金属层;对所述第一金属层做氧化处理以使在所述第一金属层上形成一氧化层;在所述氧化层上形成光阻层;对所述光阻层、所述氧化层及所述基板做图案化处理并剥离图案化的所述光阻层;在所述氧化层上依次形成第一钝化层、色阻层、第二钝化层及氧化铟锡薄膜。以使在使用的金属线为铜导线时,在干刻蚀时避免产生较多副产物。
- 一种LED阵列基板及其制备方法、显示装置-201710758637.0
- 胡月;施槐庭;廖金龙 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
- 2017-08-29 - 2019-08-09 - H01L21/77
- 本发明提供一种LED阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可解决发光功能层与基板的对位精度高的技术难题。所述LED阵列基板的制备方法,包括:在第一基板上形成至少一组电极组,所述电极组包括至少三个等间距设置的第一电极;在磁场作用下,控制所述电极组移动至一个像素区域,且每个所述第一电极位于所述像素区域的一个子像素区域中;在形成有所述第一电极的第一基板上形成对应每个所述第一电极的发光功能层;将所述第一基板上的所述发光功能层以及所述第一电极转移至第二基板上,使所述发光功能层与位于所述第二基板上子像素区域的第二电极一一对应并接触,形成LED。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造