[发明专利]一种CIGS基薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201510540233.5 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN105261660B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 李艺明;邓国云 | 申请(专利权)人: | 厦门神科太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人: | 张松亭,游学明 |
地址: | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池,包括基板,在基板上形成背电极层,在背电极层上形成银镓合金膜层,在银镓合金膜层上形成光吸收层,在光吸收层上形成缓冲层,在缓冲层上形成透明导电层。在背电极层上形成银镓合金膜层可以提高光吸收层的结晶质量,使背电极层与光吸收层的粘结更加牢固,可减少背电极层受硫族元素的腐蚀,改善开路电压和短路电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 cigs 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种CIGS基薄膜太阳能电池,其特征在于:包括基板,覆盖基板的背电极层,覆盖背电极层的银镓合金膜层,覆盖银镓合金膜层的p型光吸收层,覆盖p型光吸收层的缓冲层,覆盖缓冲层的透明导电层;所述银镓合金膜层中至少含有50at%的银,所述银镓合金膜层的厚度不大于200nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的