[发明专利]半导体发光器件

摘要

本发明提供了一种半导体发光器件，其包括层叠式半导体结构，该层叠式半导体结构具有彼此相对的第一表面和第二表面、分别形成第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层、以及有源层。第一电极和第二电极分别设置在层叠式半导体结构的第一表面和第二表面上。连接电极延伸至第一表面以连接至第二电极。支承衬底设置在第二电极上，并且绝缘层使连接电极与有源层和第一导电类型的半导体层绝缘。

主权项

1.一种半导体发光器件，包括：层叠式半导体结构，其包括彼此相对的第一表面和第二表面、分别形成所述第一表面和所述第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层、以及设置在所述第一导电类型的半导体层与所述第二导电类型的半导体层之间的有源层；第一电极，其设置在所述层叠式半导体结构的第一表面上，并且连接至所述第一导电类型的半导体层；第二电极，其设置在所述层叠式半导体结构的第二表面的大部分上，并且连接至所述第二导电类型的半导体层；连接电极，其连接至所述第二电极并且延伸至所述层叠式半导体结构的第一表面；支承衬底，其设置在所述第二电极上；以及绝缘层，其设置为使所述连接电极与所述有源层和所述第一导电类型的半导体层绝缘；其中，所述层叠式半导体结构包括从所述第一表面延伸至所述第二表面以将所述第二电极的一部分暴露出来的通孔，并且所述连接电极电连接至所述第二电极的暴露的部分，设置在所述通孔的内侧壁上，并且延伸至所述层叠式半导体结构的第一表面，其中所述半导体发光器件还包括设置在所述第二电极的一部分上并且将所述第二电极连接至所述连接电极的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述第二电极与所述支承衬底之间并且相对于所述第二电极具有高蚀刻选择性。