[发明专利]用于使光输入更为一致的堆叠栅格有效

专利信息
申请号: 201510626999.5 申请日: 2015-09-28
公开(公告)号: CN106057832B 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 郑允玮;曾鸿辉;王昭雄;周俊豪;蔡宗翰;李国政;许永隆 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/82
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种具有堆叠栅格偏移的背照式(BSI)图像传感器。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格部分布置在像素传感器上方并且该金属栅格部分中具有金属栅格开口。金属栅格开口的中心横向偏移于像素传感器的中心。介电栅格部分布置在金属栅格上方并且该介电栅格部分中具有介电栅格开口。介电栅格开口的中心横向偏移于像素传感器的中心。本发明还提供了一种用于制造BSI图像传感器的方法。
搜索关键词: 用于 输入 更为 一致 堆叠 栅格
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:像素传感器,布置在半导体衬底内;金属栅格部分,布置在所述像素传感器上方并且所述金属栅格部分中具有金属栅格开口,其中,所述金属栅格开口的中心横向偏移于所述像素传感器的中心;以及介电栅格部分,布置在所述金属栅格上方并且所述介电栅格部分中具有介电栅格开口,其中,所述介电栅格开口的中心横向偏移于所述像素传感器的中心;所述金属栅格开口的中心和所述介电栅格开口的中心分别以金属栅格偏移量和介电栅格偏移量横向偏移于所述像素传感器的中心,并且所述金属栅格偏移量和所述介电栅格偏移量与所述像素传感器与所述像素传感器阵列的中心之间的距离成比例。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510626999.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top