[发明专利]MOD法制备Al2O3阻氚涂层的方法有效

专利信息
申请号: 201510674277.7 申请日: 2015-10-15
公开(公告)号: CN105177541A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 王龙;杨吉军;冯勇进;廖家莉;杨远友;刘宁;冯开明 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C23C20/08 分类号: C23C20/08
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 董芙蓉
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于材料领域,涉及一种在CLF-1低活性铁素体马氏体钢基体上制备Al2O3涂层的方法,(1)对CLF-1低活性铁素体马氏体钢(RAFM)按照机械打磨,机械抛光,电解抛光,除油,除锈的顺序进行表面处理;(2)利用浸渍提拉法将商用MOD液均匀涂覆于基体表面;(3)将步骤(2)制得的试样用烤胶机在120℃下烘焙5~30min,自然冷却至室温;(4)将步骤(3)制得的试样用烤胶机在500℃~600℃烘焙5~20min,自然冷却至室温;(5)重复步骤(2)到(4)10~20次后;(6)将步骤(5)制得的试样置于高温管式炉中,在600℃~700℃温度下退火30~120min,即可得到Al2O3阻氚涂层。本发明操作工艺简单,制得的Al2O3阻氚涂层致密、平整,与基材结合力强。
搜索关键词: mod 法制 al sub 涂层 方法
【主权项】:
MOD法制备Al2O3阻氚涂层的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)用180#、240#、600#、1000#、1200#水砂纸由粗到细依次打磨CLF‑1基片,打磨光滑后依次用1μm金刚石抛光剂、W1抛光粉、W1抛光膏抛光、电解抛光,除油,除锈,最后用去离子水冲洗干净后吹干待用;(2)在室温下利用提拉镀膜机将商用MOD液均匀涂覆于CLF‑1基片表面,该步骤的提拉速度为5~20cm/min,CLF‑1基片在MOD液中静置300~2000s;(3)再将CLF‑1基片在空气中悬置3~10min后,在烤胶机内,120℃下烘焙5~30min,自然冷却至室温;(4)涂覆有干凝胶的CLF‑1基片再次放入烤胶机,500~600℃下烘焙5~20min,自然冷却至室温;(5)重复上述步骤(2)~(4)10~20次;(6)将上述步骤(5)得到的试样置于高温管式烧结炉中,在600℃~700℃温度下进行1~2h热处理,即可在CLF‑1基片上制得Al2O3阻氚涂层,该步骤的升温速率5~10℃/min,降温时随炉自然冷却。
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  • 本发明属于电化学技术领域,涉及一种金属氧化物涂层阳极的制备方法,采用常压等离子体辅助制备的阳极适用于电解海水污水降解、防止海洋生物污损和阴极保护等电化学工程场合,制备方法包括基底预处理、涂液制备和涂层阳极制备三个步骤在常规的设备中,先将等离子放电电流和射流枪移动速率调节为设定值,在预处理的基底表面上覆盖式喷射制备的涂液后将基底放入烘干箱中烘干,在基底表面上形成涂层,再采用等离子体射流放电对涂层表面进行氧化;重复喷射、烘干和等离子体氧化的步骤6‑8次,然后将基底放入烧结炉中烧结,完成涂层阳极制备;其制备工艺简单,原理可靠,能耗小,效率高,制备的阳极稳定性好,使用寿命长,环境友好。
  • 在柔性基底上制备TiO2膜的方法-201210585990.0
  • 只金芳;李豫珍;吴良专 - 中国科学院理化技术研究所
  • 2012-12-28 - 2016-10-12 - C23C20/08
  • 本发明公开了一种在柔性基底上制备TiO2膜的方法。该方法基于过氧化钛技术,以苯胺为还原剂,通过苯胺对过氧化钛的还原作用,在常温下在柔性基底表面沉积锐钛矿型的TiO2功能膜;所生成的TiO2粒子在基底表面均匀覆盖并与基底牢固结合,所得的TiO2柔性膜有较好的光催化性能。该方法在常温下进行,制备过程中无需加热处理,简单易操作。
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