[实用新型]一种测试结构有效
申请号: | 201520022384.7 | 申请日: | 2015-01-13 |
公开(公告)号: | CN204332949U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 董燕;张冠;孙艳辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种测试结构,所述测试结构至少包括:第一MIM结构、第二MIM结构、第一测试焊盘以及第二测试焊盘,其中,所述第一MIM结构与所述第二MIM结构平行设置,所述第一测试焊盘连接于所述第一MIM结构的下电极及所述第二MIM结构的上电极,所述第二测试焊盘连接于所述第一MIM结构的上电极及所述第二MIM结构的下电极。本实用新型将第一MIM结构的上电极与第二MIM结构的下电极相连后连接一焊盘、第一MIM结构的下电极与第二MIM结构的上电极相连后连接另一焊盘,仅需在其中一个焊盘上加压,另一焊盘接收输出信号即可同时检测到从MIM结构上电极传输到下电极的信号及从下电极传输到上电极的信号,操作简便,省时省力。 | ||
搜索关键词: | 一种 测试 结构 | ||
【主权项】:
一种测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括:第一MIM结构、第二MIM结构、第一测试焊盘以及第二测试焊盘,其中,所述第一MIM结构与所述第二MIM结构平行设置,所述第一测试焊盘连接于所述第一MIM结构的下电极及所述第二MIM结构的上电极,所述第二测试焊盘连接于所述第一MIM结构的上电极及所述第二MIM结构的下电极。
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