[发明专利]高增益耐久性抗反射涂层

摘要

本文公开了基于聚倍半硅氧烷的抗反射涂层(ARC)组合物、制备方法及在基材上沉积的方法。在一个实施方案中，本公开的聚倍半硅氧烷是按两步法制备的，即有机烷氧基硅烷的酸催化水解，接着添加四烷氧基硅烷，其产生基于Si‑NMR具有40摩尔％的硅烷醇的硅氧烷聚合物。这些高硅烷醇硅氧烷聚合物在室温下在极性有机溶剂中稳定且具有长保质期。还公开了在有和没有诸如致孔剂、模板剂、热自由基引发剂、光自由基引发剂、交联剂、Si‑OH缩合催化剂和纳米填料的添加剂的情况下由这些组合物制成的低折射率ARC。还公开了用于将涂层施加到平坦基材的方法和设备，包括基材预处理过程、涂布过程和包括使用热空气刀的表皮固化的涂层固化过程。还公开了用于具有高可调节性、耐久性、高耐磨性的功能化抗反射涂层的涂层组合物和制剂。

主权项

一种硅氧烷聚合物溶液组合物，其包含：(i)由酸水解的烷氧基硅烷、有机硅烷和有机氟硅烷形成的硅氧烷聚合物A，其中所述硅氧烷聚合物A具有下式：[RSi(OH)2O0.5]a[RSiO1.5]b[RSi(OH)O]c[R’Si(OH)2O0.5]m[R’SiO1.5]n[R’Si(OH)O]p[SiO2]w[Si(OH)O1.5]x[Si(OH)2O]y[Si(OH)3O0.5]z，其中R选自由由以下独立地组成的组：甲基或任选被取代或未被取代的C2至C10烷基基团、被取代或未被取代的C3至C20环烷基基团、被取代或未被取代的C1至C10羟烷基基团、被取代或未被取代的C6至C20芳基基团、被取代或未被取代的C2至C20杂芳基基团、被取代或未被取代的C2至C10烯基基团、被取代或未被取代的羧基基团、被取代或未被取代的(甲基)丙烯酰基基团被取代或未被取代的缩水甘油醚基团或其组合，R’选自由以下组成的组：氟取代的C3烷基基团或任选C4至C10烷基基团、氟取代的C3至C20环烷基基团、氟取代的C1至C10羟烷基基团、氟取代的芳基基团、氟取代的C2至C20杂芳基基团、氟取代的C2至C10烯基基团、氟取代的羧基基团、被取代或未被取代的(甲基)丙烯酰基基团、氟取代的缩水甘油醚基团或其组合，0<a，b，c，w，x，y，z<0.9，0≤m，n，p<0.9，且a+b+c+m+n+p+w+x+y+z＝1；(ii)水解酸催化剂；(iii)极性有机溶剂；和(iv)至少一种选自由以下组成的组的添加剂：热自由基引发剂、光自由基引发剂和交联剂。