[发明专利]取向性磷灰石型氧化物离子导体及其制造方法有效
| 申请号： | 201580052353.9 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107078316B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 井手慎吾;阿武裕一;井筒靖久;大村淳;石井林太郎;加畑实 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01M8/0217 | 分类号： | H01M8/0217;C04B35/50;H01B1/06;H01B1/08;H01B13/00;H01M8/1246 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
为了提供一种新的取向性磷灰石型氧化物离子导体，该取向性磷灰石型氧化物离子导体可以抑制裂纹的产生而实现大面积化，优选通过不复杂的工艺低成本地进行制造，从而提出了一种由复合氧化物构成的取向性磷灰石型氧化物离子导体，该复合氧化物的特征在于，其由A |
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| 搜索关键词： | 向性 磷灰石 氧化物 离子 导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种由复合氧化物构成的取向性磷灰石型氧化物离子导体，该复合氧化物的特征在于，其由A9.33+x[T6‑yMy]O26.00+z表示，式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的T为Si或Ge或包含其两者的元素，式中的M为选自由B、Ge、Zn、Sn、W和Mo组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的x为‑1～1，式中的y为1～3，式中的z为‑2～2，A的摩尔数相对于M的摩尔数的比例A/M为3～10。
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