[发明专利]电极、制造电极的方法及产生局部击穿的方法有效
| 申请号： | 201580070589.5 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107210101B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | M·C·韦拉 | 申请（专利权）人： | E/G电图公司 |
| 主分类号： | H01B17/64 | 分类号： | H01B17/64;H01L51/30;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;师玮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 电极、制造电极的方法及产生局部击穿的方法。在正常操作期间形成绝缘沉积物的系统中，将电极设置成使得沉积物具有产生原位三联结合部的效果。这些三联结合部增强了低电平放电活动，以有助于沉积物的局部击穿并保持电极的导电率。三联结合部周围的放电活动产生局部等离子体清洗，并由此保持局部电极表面导电率和总体电极功能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 保持 电极 导电 原位 三联 结合部 形成 | ||
【主权项】：
1.一种制造电极的方法，该方法包括以下步骤：使所述电极的表面包括至少一个几何特征，所述至少一个几何特征被设置成在使用期间生成至少一个三联结合部，所述几何特征包括：第一表面部分，所述第一表面部分被设置成在使用中暴露于沉积物形成粒子；以及隐蔽表面部分，所述隐蔽表面部分在使用中被避免暴露于沉积物形成粒子，所述隐蔽表面部分与所述第一表面部分相邻。
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