[发明专利]扇出晶圆级封装

摘要

本发明涉及一种扇出晶圆级封装，包含有一重分布层；一被动器件，设在重分布层的第一金属层中；一第一钝化层，覆盖重分布层的上表面；一第二钝化层覆盖重分布层的下表面；一晶粒安装在第一钝化层上，晶粒包含一接点；一模塑料，设在晶粒周围及第一钝化层上；一导孔，贯穿第一钝化层、重分布层的介电层及第二钝化层，暴露出接点；一接触洞，设在第二钝化层中，暴露出被动器件的电极；以及一第二金属层，设在导孔及接触洞中，电连接被动器件的电极至晶粒的接点。

主权项

1.一种扇出晶圆级封装，包含有：一重分布层RDL，其包含至少一介电层以及至少一第一金属层；一被动器件，其在所述RDL的所述第一金属层中；一第一钝化层，其覆盖所述RDL的一上表面；一第二钝化层，其覆盖所述RDL的一下表面；至少一晶粒，其安装在所述第一钝化层上，其特征在于：其中所述晶粒包含一接点，所述接点直接分布在所述晶粒的主动面上与所述第一钝化层直接接触；并且所述扇出晶圆级封装进一步包含：一模塑料，其设在所述晶粒周围以及所述第一钝化层上；一导孔，其贯穿所述第一钝化层、所述介电层以及所述第二钝化层，以暴露出所述接点的一部分；一接触洞，其在所述第二钝化层中，以暴露出所述被动器件的一个电极的一部分；以及一第二金属层，其设在所述第二钝化层的下表面，其中所述导孔以及所述接触洞由所述第二金属层填充以电连接所述被动器件的所述电极至所述晶粒的所述接点。