[发明专利]绿光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种绿光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、绿光量子点发光层、绿光能量传递层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述绿光量子点发光层的厚度为8nm～15nm；所述绿光能量传递层的厚度为0.2nm～2nm。这种绿光量子点薄膜电致发光器件，首先采用厚度为8nm～15nm的绿光量子点发光层，从而使得绿光量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过绿光量子点发光层而不在绿光量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，在绿光能量传递层上形成激子后通过能量传递的方式再到达绿光量子点发光层上使其发光，解决绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。

主权项

一种绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、绿光量子点发光层、绿光能量传递层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述绿光量子点发光层的材料为绿光量子点，所述绿光量子点发光层的厚度为8nm～15nm；所述绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe；所述绿光能量传递层的材料为绿光有机发光材料，所述绿光能量传递层的厚度为0.2nm～2nm。