[发明专利]耐弯折透明硫化铜导电膜及其制备方法在审
申请号: | 201610273823.0 | 申请日: | 2016-04-28 |
公开(公告)号: | CN105702319A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 郭文熹;潘曹峰;张晓佳;刘向阳 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01B1/10 | 分类号: | H01B1/10;H01B13/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 耐弯折透明硫化铜导电膜及其制备方法,涉及柔性透明导电膜制备。所述耐弯折透明硫化铜导电膜由柔性透明薄膜和网络状的CuS导电膜组成,其方阻值Rs≤20Ω/sq,可见光的透光率T≥80%。所述耐弯折透明硫化铜导电膜的制备方法,包括以下步骤:1)通过静电纺丝技术在收集器上纺一层网状的聚乙烯醇细丝;2)通过磁控溅射技术,在步骤1)所得的细丝表面溅射一层Cu膜,取出后,转移至不同柔性基底表面,将导电膜浸泡于纯水中,去掉PVA模板,烘干,得薄膜;3)将步骤2)中所得的薄膜置于S的饱和乙醇溶液中进行硫化反应后,取出,洗涤烘干,即得耐弯折透明硫化铜导电膜。工艺简单,成本较低,容易实现大规模的生产。 | ||
搜索关键词: | 耐弯折 透明 硫化铜 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
耐弯折透明硫化铜导电膜,其特征在于由柔性透明薄膜和网络状的CuS导电膜组成,其方阻值Rs≤20Ω/sq,可见光的透光率T≥80%。
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