[发明专利]半导体测试单元及半导体测试结构有效
| 申请号： | 201610620291.3 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107680954B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 费春潮;江博渊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体测试单元及半导体测试结构，所述半导体测试单元包括依次层叠的金属层及位于顶层金属层上方的焊垫，其中，所述金属层及所述焊垫均设有倒角。本发明通过在焊垫及位于其下方的金属层上设置倒角，可以在激光沟道工艺中将产生的微损伤或微裂纹的起始点位置向切割道中心偏移，使其远离了芯片保护结构及芯片，降低了芯片边缘分层发生的概率或严重程度，从而提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 焊垫 半导体测试 倒角 半导体测试结构 顶层金属层 起始点位置 沟道工艺 芯片保护 芯片边缘 依次层叠 中心偏移 切割道 微裂纹 微损伤 分层 激光 芯片 概率 | ||
【主权项】：
1.一种半导体测试单元，其特征在于，所述半导体测试单元包括依次层叠的金属层及位于顶层金属层上方的焊垫，所述焊垫的尺寸等于所述金属层的尺寸，其中，所述金属层及所述焊垫均设有倒角，所述倒角用于在激光沟道工艺中将产生的微损伤或微裂纹的起始点位置向切割道中心偏移。/n
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